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- 2023-06-19 发布于四川
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本发明涉及半导体技术领域,本发明公开了一种钻石晶体的异质键合方法及异质结构。本申请提供的该异质键合方法通过在钻石晶体表面引入键合介质层,继而可以采用亲水键合或者SAB键合等键合方法,绕过了钻石晶体不易抛光和键合的缺点,上述键合方法具有键合灵活以及键合强度高的优点。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113284839 A
(43)申请公布日 2021.08.20
(21)申请号 202110557868.1
(22)申请日 2021.05.21
(71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术
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