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本发明提供了一种石墨烯优化宽禁带半导体辐射探测器，属于光电探测技术领域，包括衬底，在所述衬底的上表面依次形成的半导体吸收层、介电层和金属上电极，在所述衬底的下表面依次形成的石墨烯插入层和金属下电极。本发明中石墨烯插入层促进了碳复合物的形成，将欧姆电极的退火温度降低至400℃，减小了在传统欧姆接触形成需在880℃下退火的限制，减小了高温退火对碳化硅外延层中杂质的激活作用，从而优化了探测器欧姆接触特性和漏电特性；同时基于石墨烯的费米能级可调性能，实现石墨烯/碳化硅高的界面内建电场，提高载流子分离输运
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113284959 A
(43)申请公布日 2021.08.20
(21)申请号 202110510226.6
(22)申请日 2021.05.11
(71)申请人 中国科学院长春光学精密机械与物
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