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倒装LED芯片及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-19 发布于四川
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倒装LED芯片及其制备方法.pdf

    本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法，电极引出端包括种子金属层及电解金属层，利用种子金属层和电解反应即可制备出较厚的电解金属层，较厚的电解金属层可以保证倒装LED芯片的电极引出端与封装基板上的金属层充分互溶，弥补封装基板的凹凸不平，使倒装LED芯片的电极引出端与封装基板的金属层充分接触，增加二者之间的粘附性，达到均匀焊接的效果，进而可以增加倒装LED芯片的推力，降低了封装异常率，提升了器件的可靠性。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113284997 B (45)授权公告日 2022.07.29 (21)申请号 202110524308.6 H01L 33/40 (2010.01)

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