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一种具有钝化接触结构的IBC电池的加工工艺.pdfVIP

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  • 2023-06-19 发布于四川
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一种具有钝化接触结构的IBC电池的加工工艺.pdf

    本发明适用太阳能电池技术领域，提供了一种具有钝化接触结构的IBC电池的加工工艺，包括将N型单晶硅片进行制绒、抛光、背面生长隧穿氧化层、背面沉积P型/N型掺杂多晶硅、正面磷扩散、正面沉积减反射层、背面沉积钝化层；在P型/N型掺杂多晶硅印刷栅线位置利用激光消融刻蚀钝化层以形成凹槽；利用银浆一次性在P型/N型掺杂多晶硅对应凹槽丝网印刷栅线；低温烧结得到电池成品，烧结温度为400～690℃。本发明的具有钝化接触结构的IBC电池的加工工艺通过在P型/N型掺杂多晶硅印刷栅线位置利用激光消融刻蚀凹槽，利用低温

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113284982 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202110594395.2 H01L 31/068 (2012.01) (22)申请日

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