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2023-06-20 发布于四川
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针对3D NAND集成具有改善的蚀刻选择性的氮化物膜.pdf

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提供了一种在氧化物层上沉积氮化物层以形成氧化物‑氮化物堆叠件的方法。该方法包含：将惰性气体供应至支撑具有所述氧化物层的衬底的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)反应器中。然后，向所述PECVD反应器的电极提供功率，所述功率被配置成激励等离子体。接着，使反应物气体流入所述PECVD反应器。所述反应物气体包含第一体积百分比的氨气(NH3)、第二体积百分比的氮气(N2)、第三体积百分比的硅烷(SiH4)和第四体积百分比的氧化剂。所述氧化剂的所述第四体积百分比为至少0.5％的体积百分比且小于约8％的体

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113302716 A (43)申请公布日 2021.08.24 (21)申请号 201980088493.X 巴特 ·J ·范施拉文迪克　 (22)申请日 2

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