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本发明公开了一种具有薄双层结构的高性能声表面波器件及其制备方法。本发明器件的结构包括压电单晶基片、叉指换能器、高声速层和二氧化硅层;压电单晶基片上设置叉指换能器和高声速层;当高声速层厚度小于等于叉指换能器的厚度时,高声速层设置于叉指换能器的相邻叉指间隙;当高声速层厚度大于叉指换能器的厚度时,高声速层设置于叉指换能器的相邻叉指间隙或同时设置于叉指换能器上及其相邻叉指间隙处;二氧化硅层设置于高声速层和/或叉指换能器的上方。本发将高声速层覆盖在传统压电单晶基片上方提高了器件频率;高声速层上方设置二氧化
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113300687 A
(43)申请公布日 2021.08.24
(21)申请号 202110539227.3
(22)申请日 2021.05.18
(71)申请人 清华大学
地址 10
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