一种半导体中高斯分布能态间电荷生成、复合模拟仿真方法.pdfVIP

一种半导体中高斯分布能态间电荷生成、复合模拟仿真方法.pdf

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本发明公开了一种半导体中电荷的生成与复合过程数值仿真模型的建立方法。该方法利用半导体材料中能态密度的Gaussian分布特性,直接计算载流子和陷阱电荷的生成与复合过程,同时通过引入有效能级中心或者有效准费米能级简化计算过程。从而提高了对新型半导体材料组成的电子器件设计的效率与准确性,缩小了产品设计周期,并且降低了成本。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113297818 A (43)申请公布日 2021.08.24 (21)申请号 202110547371.1 (22)申请日 2021.05.19 (71)申请人 贵州师范学院 地址

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