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本发明实施方式涉及半导体技术领域，公开了半导体结构制造方法。本实施方式中，包括：提供绝缘基底；采用物理气相沉积工艺在所述绝缘基底上沉积隔离层，所述隔离层包括钴原子、以及位于钴原子晶界位置的阻挡原子；在所述隔离层上沉积含铜金属层。本实施方式能够较好地阻挡含铜金属层中的铜原子扩散到绝缘基底中，减少寄生电容的产生。相比较现有技术中通过钽金属作为隔离层而言，包含钴原子的隔离层与含铜金属层之间具有相对较好的粘附性，提高对铜的抗电子迁移性，改善半导体结构的使用寿命；且包含钴原子的隔离层电阻率较低，可以提高了
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113299598 A
(43)申请公布日
2021.08.24
(21)申请号 20201
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