一种集成隧穿氧化层的非晶硅制备方法.pdfVIP

一种集成隧穿氧化层的非晶硅制备方法.pdf

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本发明公开了一种集成隧穿氧化层的非晶硅制备方法，即超薄隧穿氧化层与非晶硅的生长在同一工序进行，无Q‑time时间，可减少工艺步骤，不涉及额外的上下片过程，不会增加划伤及污染风险，比氧化与非晶硅生长分开方式拥有更优异的钝化结果。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113328008 A (43)申请公布日 2021.08.31 (21)申请号 202110379255.3 (22)申请日 2021.04.08 (71)申请人普乐新能源科技（徐州）有限公司

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