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2023-06-20 发布于四川
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垂直型氮化镓功率器件及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种垂直型氮化镓功率器件，包括硅衬底、缓冲层、模板层、掩膜层和漏极电极；掩膜层中设六边形窗口；六边形窗口在掩膜层上生长第一n+GaN层，融合位置有空隙缺陷；第一n+GaN层上覆盖n‑GaN扩散层；n‑GaN扩散层上设p‑GaN势垒层、第二n+GaN层；六边形窗口、空隙缺陷的上设垂直沟槽；垂直沟槽内设第一绝缘层；垂直沟槽和第一绝缘层上覆盖第二绝缘层；第二绝缘层上覆盖栅极电极，栅极电极的顶面与第二n+GaN层的顶面齐平；第二绝缘层的开口中设置源极电极。本发明还公开了一种垂直型氮化镓功率器

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113299749 B (45)授权公告日 2022.04.15 (21)申请号 202110697529.3 H01L 21/335 (2006.01) (22)申请日

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