制造半导体器件的方法和半导体器件.pdfVIP

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2023-06-20 发布于四川
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制造半导体器件的方法和半导体器件.pdf

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在制造半导体器件的方法中，其中第一半导体层和第二半导体层交替堆叠的上部鳍结构形成在下部鳍结构上方，牺牲栅极结构形成在上部鳍结构上方，蚀刻上部鳍结构的未被牺牲栅极结构覆盖的源极/漏极区域，从而形成源极/漏极空间，穿过源极/漏极空间横向蚀刻第一半导体层，在每个蚀刻的第一半导体层的端部上形成由介电材料制成的内部间隔件，以及在源极/漏极空间中形成源极/漏极外延层以覆盖内部间隔件。在蚀刻源极/漏极区域时，还蚀刻下部鳍结构的一部分以形成凹槽，其中暴露(111)表面。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体器件

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113314608 A (43)申请公布日 2021.08.27 (21)申请号 202011634838.8 H01L 21/336 (2006.01) (22)申请日

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