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本发明公开了一种用于铜催化刻蚀硅片刻蚀液的添加剂、刻蚀体系及刻蚀方法,其中,添加剂为包括:金属络合剂、酸度调节剂和水。该酸度调节剂选自柠檬酸、乙酸或磷酸中的一种或几种;该金属络合剂选自乙二胺四乙酸、水杨酸或六次甲基四胺中的一种或几种。刻蚀体系由添加剂与铜催化刻蚀液进行混合制得到。本添加剂所得刻蚀液,与不含添加剂刻蚀液相比,本发明的刻蚀体系对硅片进行刻蚀制绒,刻蚀反应条件更温和,硅片减重率更低,制备得到的硅片表面倒金字塔尖刺减少,结构更加均匀和圆滑,硅片表面反射率能够进一步降低,特别适合未来薄片化
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113292999 A
(43)申请公布日 2021.08.24
(21)申请号 202110459517.7
(22)申请日 2021.04.27
(71)申请人 昆明理工大学
地址
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