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本发明属于谐振器制备技术领域，公开了一种FBAR谐振器及其制备方法，所述FBAR谐振器的制备方法包括：锗薄膜制备；FBAR谐振器衬底的选择处理；在衬底沟槽内形成硅纳米线；在含硅纳米线的FBAR谐振器衬底上进行下电极形成；FBAR谐振器的制备。本发明提供的FBAR谐振器仅需要进行两层压电层的制备，制备方法简单，操作简便；将石墨作为单晶硅衬底和锗薄膜间的过渡层，可以消除硅和锗之间的晶格失配，减小由于热膨胀系数不匹配造成的锗薄膜质量的下降，从而降低锗薄膜的缺陷密度问题；通过磁控溅射法、化学气相沉积法进
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113315488 A
(43)申请公布日 2021.08.27
(21)申请号 202110432354.3
(22)申请日 2021.04.21
(71)申请人 浙江水利水电学院
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