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本发明公开了一种非抛光制作薄膜传感器用金属基底的方法，以硅片作为牺牲层，借助硅片表面极低的粗糙度，直接在其表面电镀金属层，然后侵蚀去掉硅片。本发明借助硅片作为牺牲层结合电镀的工艺制作出表面粗糙度达到硅片表面程度的金属基底，所采用的工艺成熟简单，节省了大量的时间和成本；同时整个工艺可以在超净间开展，避免了金属基底从“非洁净”空间转移至超净间带来了污染物，降低了在金属基底上成功制作传感器的难度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113321179 A
(43)申请公布日 2021.08.31
(21)申请号 202110573749.5
(22)申请日 2021.05.25
(71)申请人 曹建峰
地址 234
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