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一种带有斜坡的半导体器件终端结构及其制造方法.pdf

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    一种带有斜坡的半导体器件终端结构及其制造方法，结构包括：由半导体经过干法刻蚀后形成的斜坡结构，位于半导体器件有源区的外围，长度大于100微米结构，高度小于10微米。还包括沟槽结构及填充介质，或者还包括注入结构或场板结构或其中任意组合。沟槽结构由半导体经干法刻蚀后形成，位于斜坡结构的外围；填充介质是位于沟槽结构中的填充材料；注入结构通过在半导体上进行离子注入形成，被注入区域中含有斜坡结构的表面；场板结构是通过在半导体表面引入导体形成，导体与半导体间可含有钝化层，导体覆盖区域含有斜坡结构的表面。本发

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113299735 B (45)授权公告日 2022.08.05 (21)申请号 202110515569.1 (56)对比文件 (22)申请日 2021.05.12

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