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- 2023-06-20 发布于四川
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本申请公开一种槽栅超结VDMOS器件、芯片及终端设备。该槽栅超结VDMOS器件包括元胞结构和开关管；元胞结构包括超结结构，超结结构的顶端设有沟槽栅极结构，沟槽栅极结构包括从上至下依次层叠设置的N型多晶硅区和P型多晶硅区，N型多晶硅区的上表面设有金属层，P型多晶硅区通过多晶走线与栅极连接，沟槽栅极结构的两侧分别设有P型基区，每侧的P型基区的上表面均设有相接触的N+源区和P+体区，且N+源区紧邻沟槽栅极结构，每侧的N+源区的部分上表面和P+体区的上表面设有源极金属；开关管跨接在金属层与源极金属之间，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113327984 B
(45)授权公告日 2022.07.12
(21)申请号 202110581224.6 (51)Int.Cl.
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