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提供了一种在GaP/Si衬底上外延生长InGaAs薄膜的方法,所述方法包括:在GaP/Si衬底上生长形成GaP缓冲层;在所述GaP缓冲层上生长形成层叠的若干InP/InGaAs超晶格结构缓冲层;在所述若干InP/InGaAs超晶格结构缓冲层上生长形成InP缓冲层;在所述InP缓冲层上生长形成InGaAs薄膜。在本发明中,通过在GaP/Si衬底上外延生长GaP缓冲层、InP/InGaAs超晶格结构缓冲层以及InP缓冲层,可以获得高晶体质量的缓冲层,解决了Si衬底与InGaAs薄膜的晶格匹配问题,有
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113314398 A
(43)申请公布日 2021.08.27
(21)申请号 202110570556.4 C30B 29/40 (2006.01)
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