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2023-06-20 发布于四川
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半导体装置及半导体装置的制造方法.pdf

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本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法。优选避免破坏感测IGBT。所述半导体装置具备：半导体基板；晶体管部，其设置于半导体基板；电流感测部，其用于检测流经晶体管部的电流；发射电极，其被设定为晶体管部的发射极电位；感测电极，其与电流感测部电连接；齐纳二极管，其电连接到发射电极与感测电极之间。所述半导体装置的制造方法包括：在晶体管部设置半导体基板的步骤；设置对流经晶体管部的电流进行检测的电流感测部的步骤；设置被设定为晶体管部的发射极电位的发射电极的步骤；设置与电流感测部电连接的感测电极的步骤；设

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113299643 A (43)申请公布日 2021.08.24 (21)申请号 202011577395.3 H01L 23/544 (2006.01) (22)申请日

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