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一种外延生长衬底、半导体外延结构及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-06-20 发布于四川
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一种外延生长衬底、半导体外延结构及其制作方法.pdf

    本发明提供了一种外延生长衬底、半导体外延结构及其制作方法，通过设置：具有若干个凸台的图形化衬底以及形成于所述图形化衬底表面的保护层；相邻的所述凸台之间具有间隙，且所述保护层填充所述间隙并覆盖各所述凸台的顶面；所述保护层用于保护所述生长衬底的图形在外延生长前不被破坏。进一步地，所述凸台的垂直高度大于所述凸台的底面宽度，使所述外延生长衬底形成大高宽比的图形，实现大出光角度；并通过小底宽设计实现高密度的图形进而提高发光效率。同时，通过设置保护层，有利于实现图形化衬底的可靠性及稳定性，减少大高宽比的图形

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113328019 B (45)授权公告日 2022.08.23 (21)申请号 202110563851.7 (56)对比文件

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