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半导体制造装置具有:薄膜形成部(10),具有腔室(11),该腔室具备设置基板(17)的设置台(13)并将基板加热、并且导入使薄膜(18)在基板之上生长的供给气体;以及供给气体单元(20,30),向腔室内导入供给气体。供给气体单元具有:供给配管(100a~100e,110a~110c),供给来自气体导入源(21a~21e,31a~31c)的气体;原料用的流量控制器(22a~22e,32a~32c);集合配管(101,111),在比流量控制器靠下游侧生成混合气体;分配配管(102a~102e,112
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113302719 A
(43)申请公布日 2021.08.24
(21)申请号 201980088935.0 (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司
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