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提高亮度的发光二极管芯片制作方法.pdfVIP

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  • 2023-06-20 发布于四川
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提高亮度的发光二极管芯片制作方法.pdf

    本申请公开了一种提高亮度的发光二极管芯片制作方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长多量子阱层依次包括进行生长MQWs1、生长MQWs2、生长MQWs3的步骤，所述生长MQWs1包括依次生长InGaN‑1阱层和InGaN‑2阱层的步骤，所述生长MQWs2包括生长P型AlGaN/GaN高势垒结构层，所述生长MQWs3包括溅射SiO2/Al2O3薄膜以及生长

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113328015 B (45)授权公告日 2022.06.03 (21)申请号 202110624920.0 H01L 33/10 (2010.01)

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