一种外延大单畴大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法.pdfVIP

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2023-06-20 发布于四川
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一种外延大单畴大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法.pdf

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本发明公开了一种外延大单畴大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法。采用化学气相沉积技术，通过钨酸钠做辅助剂，辅助生长大面积二硫化钨薄膜。其中氧化钨与钨酸钠的质量比为1:2‑1:12。本发明使用钨酸钠做辅助剂，一方面可以促进氧化钨的的液化，并可以保护氧化钨在反应阶段不被硫化；另一方面钠盐有助于降低形核密度，实现大面积单层二硫化钨薄膜的制备。本发明能够在低压单温区管式炉条件下制备出外延大单畴大面积单层二硫化钨薄膜。该实验方法可控性好、工艺简单、原料成本低，且适用于大规模生产。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113322522 B (45)授权公告日 2022.03.08 (21)申请号 202110629862.0 审查员陈春淳 (22)申请日 2021.06.07