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2023-06-20 发布于四川
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提供一种能够提高纵向的电流‑电压特性的面内均匀性的化合物半导体基板。在俯视观察的情况下，化合物半导体基板具备中心和作为与中心相距开71.2mm的位置的边缘。在将化合物半导体基板的GaN层中的中心的膜厚设为膜厚W1、将GaN层中的边缘的膜厚设为膜厚W2的情况下，由ΔW(％)＝|W1‑W2|×100/W1表示的膜厚误差ΔW大于0且为8％以下。GaN层的中心处的深度方向的平均碳浓度为3×1018个/cm3以上且5×1020个/cm3以下。在将GaN层的中心处的深度方向的中心位置处的碳浓度设为浓度C1、

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113302345 A (43)申请公布日 2021.08.24 (21)申请号 202080009392.1 (74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任

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