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用于调节晶体(5)的直径的方法设置的是,维持恒定的晶体升高速度(13),并且为了调节直径,以如下方式对到晶体(5)的下周侧区域上的热入射产生影响,即改变包围晶体(5)的热屏蔽件(10)和熔体表面之间的环形间隙(12)的高度。这不仅对晶体直径产生影响,而且还导致在晶体的直径上恒定的竖直的温度梯度,这提高晶体(5)的均匀性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113302344 A
(43)申请公布日 2021.08.24
(21)申请号 202080011120.5 (74)专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公
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