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本发明提供晶片的加工方法，容易地确认形成于晶片的内部的裂纹的长度。沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层的晶片的加工方法具有如下的步骤：改质层形成步骤，从该晶片的背面侧照射第一激光束，在该晶片的内部形成改质层；观察用激光束照射步骤，将输出不超过该晶片的加工阈值的第二激光束的聚光点定位于该晶片的内部或正面，一边使该聚光点沿该晶片的厚度方向移动一边照射该第二激光束；拍摄步骤，利用拍摄单元对该第二激光束的反射光进行拍摄；以及判定步骤，根据在该拍摄步骤中拍摄到的图像，判定该晶片的加工状态，该第二激光束成形
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113299547 A
(43)申请公布日 2021.08.24
(21)申请号 202110187368.3
(22)申请日 2021.02.18
(30)优先权数据
2020-0287
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