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本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法,可以在衬底上沉积形成牺牲层,利用Bosch工艺对牺牲层进行刻蚀形成电容孔,电容孔的侧壁在纵向上呈凹凸交替变化,在电容孔内依次形成底电极层、介质层和顶电极层,由于Bosch工艺能够使刻蚀朝着深度方向进行,利于高深宽比的电容孔形成,提高电容孔的孔径的均匀性,且刻蚀过程中可以保护侧壁,在刻蚀过程中天然形成侧壁上凹凸交替变化的特性,无需在沉积工艺中掺杂,从而简化沉积工艺,提高电容面积,进而在简化工艺的前提下得到高性能的存储器件。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113299829 A
(43)申请公布日 2021.08.24
(21)申请号 202110516398.4
(22)申请日 2021.05.12
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
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