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半导体装置的制造方法，包含在层间介电质上形成第一图案化结构。层间介电质覆盖于第一源/漏极结构和第二源/漏极结构上。第一图案化结构沿着第一横向方向延伸，且第一图案化结构的垂直投影沿着与第一横向方向垂直的第二横向方向位于第一源/漏极结构与第二源/漏极结构之间。方法包含缩小第一图案化结构沿着第二横向方向延伸的宽度。方法包含基于具有缩小的宽度的第一图案化结构形成分别暴露出第一源/漏极结构和第二源/漏极结构的多个接触孔洞。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113314465 A
(43)申请公布日 2021.08.27
(21)申请号 202110459895.5
(22)申请日 2021.04.27
(30)优先权数据
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