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本揭示内容描述了一种半导体结构、半导体装置、和制造半导体装置的方法，半导体装置其具有金属边界沟槽隔离件，金属边界沟槽隔离件带有作为金属扩散阻障的导电的中间结构。半导体结构包括在基板上的第一鳍片结构和第二鳍片结构、介于第一鳍片结构和第二鳍片结构之间的绝缘层、在绝缘层与第一和第二鳍片结构上的栅极介电层，以及在栅极介电层上的第一功函数堆叠和第二功函数堆叠。第一功函数堆叠在第一鳍片结构和绝缘层的第一部分上方，并且第二功函数堆叠在第二鳍片结构和绝缘层的邻近于第一部分的第二部分上方。半导体结构还包括在栅极介
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113327925 A
(43)申请公布日 2021.08.31
(21)申请号 202110202805.4 H01L 21/8234 (2006.01)
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