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本申请提供了一种光刻工艺和光刻装置，在第二光刻工艺处理时，利用薄膜基材的弹性拉伸薄膜基材，使第一蚀刻图案拉伸放大与第二光罩的第二图案相适配，然后在进行第二次曝光，在第二次曝光结束后，释放拉力，薄膜基材收缩为原有的大小，在进行后续处理；即在第二次曝光对位时，利用外力对薄膜基材施加弹性变形力，使第一蚀刻图案被拉伸放大并和第二光罩的第二图案相适配，以此来保证薄膜基材上的蚀刻第一图案和第二光罩上的第二图案差异始终保持在很小的范围内，消除薄膜基材自身在制造过程中的变化差异，达到第一蚀刻图案和第二图案精准对
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113296362 A
(43)申请公布日
2021.08.24
(21)申请号 20201
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