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半导体发光元件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-20 发布于四川
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半导体发光元件及其制备方法.pdf

    本发明提供了一种半导体发光元件及其制备方法，其中所述半导体发光元件从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、量子阱层以及p型半导体层，所述半导体发光元件还包括表面等离激元受激层以及表面等离激元激发层，所述表面等离激元激发层设置在所述p型半导体层上，所述表面等离激元受激层设置在所述量子阱层和p型半导体层之间，和/或，所述p型半导体层与所述表面等离激元激发层之间。本发明通过表面等离激元激发层可以诱发增强表面等离激元受激层的二维空穴气的纵向空穴注入效率和横向空穴扩展能力，提升半导体发光元件的量子效率以及增

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113328018 B (45)授权公告日 2022.08.19 (21)申请号 202110625873.1 (51)Int.Cl.

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