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公开了一种使用隧穿薄膜的双向两端相变存储器件及其操作方法。根据一个实施例，相变存储器件包括：第一电极；第二电极；以及介于第一电极和第二电极之间的相变存储单元，其中，相变存储单元包括：P型中间层，在晶体状态由于通过第一电极和第二电极施加的电压而发生变化时用作数据存储；上层和下层，在中间层的两端处使用N型半导体材料形成；以及至少一个隧穿薄膜，布置在上层和中间层之间的区域以及下层和中间层之间的区域中的至少一个区域中，以减少中间层中的漏电流或防止P型掺杂剂与N型掺杂剂之间的混合。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113330594 A
(43)申请公布日 2021.08.31
(21)申请号 201980090204.X (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任
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