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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作半导体元件的方法为：首先提供一基底，该基底上包含一鳍状结构，然后形成一单扩散隔离结构于鳍状结构内并将鳍状结构分隔为第一部分以及第二部分。接着形成一栅极材料层于单扩散隔离结构上，图案化栅极材料层以形成第一栅极结构及第二栅极结构于单扩散隔离结构上，形成间隙壁环绕各第一栅极结构与第二栅极结构，形成第一源极/漏极区域于第一栅极结构旁以及第二源极/漏极区域于第二栅极结构旁，之后再进行一金属栅极置换制作工艺将第一栅极结构及第二栅极结构转换为第一金属栅极及第二金属
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113314467 A
(43)申请公布日 2021.08.27
(21)申请号 202110220405.6
(22)申请日 2021.02.26
(30)优先权数据
16/802,46
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