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一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法.pdfVIP

一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法.pdf

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    一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法，先制备MoS2纳米管阵列，然后在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后在MoS2/ZnO纳米管阵列表面吸附Ag2S量子点。具体，先在基片表面用ALD法沉积ZnO籽晶层，再用水热法生长ZnO纳米棒阵列，随后将基片固定放入反应釜中在纳米棒表面包覆MoS2薄膜，用硫酸刻蚀得到MoS2纳米管阵列，再用ALD法在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后用连续离子层吸附反应法制备Ag2S量子点，得MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列。所产生的纳米管存

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113292249 B (45)授权公告日 2022.05.03 (21)申请号 202110589903.8 (51)Int.Cl.

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