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本发明公开了用于监测集成电路(IC)器件中的铜腐蚀的系统和方法。形成于IC器件中的腐蚀敏感结构可以包括与n型有源区相邻的p型有源区，以限定p‑n结空间电荷区。在硅上方形成的铜区可通过相应触点连接至p区和n区两者，从而限定短路。例如，在CMP工艺期间入射在p‑n结空间电荷区上的光经由短路产生流过金属区的电流，这驱动引起铜区腐蚀的化学反应。由于短路配置，铜区对腐蚀高度敏感。腐蚀敏感结构可被布置为在IC器件中具有较少的腐蚀敏感铜结构，其中腐蚀敏感结构用作监测IC器件中铜腐蚀的代理。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113330542 A
(43)申请公布日 2021.08.31
(21)申请号 202080008465.5 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公
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