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2023-06-20 发布于四川
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一种高侧NMOS功率管预充电电路.pdf

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本发明公开了一种高侧NMOS功率管预充电电路，包括高侧NMOS功率管，所述高侧NMOS功率管的栅极连接有电荷泵和预充电电路；所述预充电电路包括PM0、PM1、PM2、NM0和反相器IV，由信号CHG来控制预充电电路；其中NM0用于在预充电时将PM1的栅极与PM0的栅极短接在一起，使PM0和PM1同时导通；PM2用于预充电结束之后将PM1的栅极与源极短接在一起使PM1截止，切断高侧NMOS功率管的栅极与VCC之间的通路，本发明高侧NMOS功率管栅极电压预充电电路，使得预充电效果最佳。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113328613 B (45)授权公告日 2022.07.12 (21)申请号 202110601513.8 H02H 7/12 (2006.01) (22)申请日 2021.05.

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