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本发明公开了一种石墨烯改良的硅集成储能薄膜及其制备方法,石墨烯改良的硅集成储能薄膜包括硅衬底、石墨烯层和储能薄膜层,石墨烯层置于所述硅衬底和储能薄膜层之间;制备方法包括以下过程:采用常规湿法转移方法将铜基石墨烯转移至硅衬底表面,然后在石墨烯表面制备一层或多层储能薄膜层,得到所述石墨烯改良的硅集成储能薄膜。本发明在硅集成储能薄膜中增设石墨烯层,在石墨烯表面进行储能薄膜的范德华外延,并利用石墨烯层阻挡硅元素扩散,以提升储能薄膜的结晶质量;同时利用石墨烯层优良的导热性,增强储能薄膜的散热,有效避免热失
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113371703 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110560473.7
(22)申请日 2021.05.21
(71)申请人 西安交通大学
地址
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