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根据本公开的实施例的摄像元件包括第一半导体基板和隔着绝缘层层叠在所述第一半导体基板上的第二半导体基板。所述第一半导体基板包括光电转换部和保持从所述光电转换部传输的电荷的电荷保持部。所述第二半导体基板包括产生与保持在所述电荷保持部中的电荷电平相对应的电压信号的放大晶体管。所述放大晶体管包括在与所述第二半导体基板的前表面相交的平面中的沟道区、源极区和漏极区，并且包括隔着栅极绝缘膜与沟道区相对并电耦合到所述电荷保持部的栅极电极。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113348535 A
(43)申请公布日 2021.09.03
(21)申请号 202080010658.4 (74)专利代理机构 北京信慧永光知识产权代理
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