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本发明公开了一种降低大直径抛光片成本的工艺，其实验工艺包括以下步骤：S1、首先选用直径为200mm的待抛光片，用E+H自动分选仪将硅片按照1μm的厚度差进行分档，分选后装入抛光机专用PFA上料片篮，待抛面朝向片篮H面进行贴片作业，贴片过程中使用Skyliquid‑KW20163抛光蜡；S2、然后将贴完的硅片存储在陶瓷盘装载机上，等待抛光，在抛光机操作屏幕上设定抛光工艺，使硅片在加工过程中，满足产品的加工规范，保证较高的抛光良率，加工过程中，用千分表测量硅片厚度，调整粗抛机的中心压力，将抛光时粗抛
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113334241 A
(43)申请公布日 2021.09.03
(21)申请号 202110250842.2 H01L 21/02 (2006.01)
(22)申请日 2
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