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一种基于65nm CMOS工艺的二次谐波压控振荡器.pdfVIP

一种基于65nm CMOS工艺的二次谐波压控振荡器.pdf

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    本发明公开了一种基于65nmCMOS工艺的二次谐波压控振荡器，涉及电子通讯技术。针对现有技术中小面积、高功率、高效率无法实现的问题提出本方案，利用65nmCMOS生产方法在基片上制作出二次谐波压控振荡电路结构，主要包括输出电容、第一电阻以及对称设置的第一三电感串接单元和第二三电感串接单元。工作频率为302.7GHz～317.2GHz。优点在于，采用了单振荡器结构实现高输出功率、高效率、小面积。由于有源晶体管的寄生电容会显著降低THz频段的振荡器性能，因此采用了高阶无源LC谐振电路来使这些寄生

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113381697 B (45)授权公告日 2022.05.10 (21)申请号 202110528799.1 (51)Int.Cl.

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