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本发明公开了一种N沟道的沟槽型VDMOS和沟槽型IGBT，其中，N沟道的沟槽型VDMOS包括pbase区，所述pbase区的沟道内埋有至少一个n岛，所述n岛为n型区，所述n型区采用n型半导体元素形成。本发明提供的N沟道的沟槽型VDMOS和沟槽型IGBT，通过在器件的pbase区的沟道内埋设n岛，能够有效调整器件的Vth的范围并且一致性更好。n岛的数量取决于具体的应用需求，相对而言，埋入的n岛的数量越多，器件的Vth值越低。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113363322 A
(43)申请公布日
2021.09.07
(21)申请号 20201
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