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半导体器件和制造该半导体器件的方法.pdfVIP

半导体器件和制造该半导体器件的方法.pdf

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    公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括衬底，该衬底包括具有第一沟槽的第一区域和具有第二沟槽的第二区域。第一掩埋绝缘层图案设置在第一沟槽中。第二沟槽包括依次堆叠在其中的第一掩埋绝缘层图案、第二掩埋绝缘层图案和第三掩埋绝缘层图案。第一缓冲绝缘层设置在第一区域和第二区域中的衬底上并具有平坦的上表面。第二缓冲绝缘层设置在第一缓冲绝缘层上。位线结构设置在第一区域和第二区域上。位线结构的第一部分设置在第二缓冲绝缘层上并具有平坦的下表面。位线结构的第二部分直接接触第一区域中的衬底的表面

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113345897 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110180557.8 (22)申请日 2021.02.09 (30)优先权数据 10-2020-0

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