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本发明公开了一种双结型场板的功率器件，包括第一结型场板与第二结型场板，所述第一结型场板设置在功率器件的栅极与漏极之间，且生长在势垒层上，与所述栅极接触；所述第二结型场板与沟道层接触设置；所述第二结型场板设置在沟道层与缓冲层之间，或设置在缓冲层里面；本发明的有益效果为优化横向的电场分布使其具有类似RESURF效果，提升了击穿电压；不会引入附加的寄生电容，保证了器件的工作频率和开关速度，同时提升击穿电压和器件的可靠性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380877 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110650228.5
(22)申请日 2021.06.10
(71)申请人 四川美阔电子科技有限公司
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