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2023-06-21 发布于四川
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沟槽IGBT芯片版图结构.pdf

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本发明提供一种沟槽IGBT芯片版图结构，包括：若干个沿互相垂直的第一方向及第二方向排布的沟槽型IGBT芯片；每个沟槽型IGBT芯片包括一个元胞结构，每个元胞结构中形成有若干条互相平行的栅沟槽，且栅沟槽的方向沿第一方向或第二方向；沿第一、第二方向排布的相邻两个沟槽型IGBT芯片的栅沟槽的方向互相垂直。通过将晶圆上IGBT芯片栅沟槽在第一方向和第二方向均呈现纵横交错的分布，纵向栅沟槽中填充的栅多晶硅使晶圆向下翘曲，横向栅沟槽中填充的栅多晶硅使晶圆向上翘曲，纵横交错的栅沟槽，使压应力和张应力相互抵消，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363252 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110603168.1 (22)申请日 2021.05.31 (71)申请人上海积塔半导体有限公司

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