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本公开的实施例涉及压电式机械换能器。提供了一种用于制造包括位于膜元件处的压电元件的PMUT器件的方法。方法包括接收绝缘体上硅基底，具有第一硅层、氧化物层和第二硅层。通过移除第一硅层的暴露侧部分和氧化物层的对应的部分来暴露第二硅层的第一表面的部分，并且限定包括第一硅层和氧化物层的剩余部分的中心部分。用于膜元件的锚定部分在第二硅层的第一表面的暴露部分处形成。压电元件在中心部分的上方形成，并且膜元件通过选择性地移除第二层并且从第一硅层的剩余部分下方移除氧化物的剩余部分来限定。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113351458 A
(43)申请公布日 2021.09.07
(21)申请号 202110247160.6
(22)申请日 2021.03.05
(30)优先权数据
102020000
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