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方法包括形成包括第一开口的图案化掩模；在第一开口中形成导电部件；在导电部件的侧壁和顶面上沉积钝化层；以及图案化钝化层以在钝化层中形成第二开口。钝化层包括面向第二开口的侧壁。在钝化层上分配平坦化层。图案化平坦化层以形成第三开口。在图案化平坦化层之后，平坦化层的一部分位于第二开口中并覆盖钝化层的侧壁。形成延伸至第三开口中的凸块下金属(UBM)。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113363160 A
(43)申请公布日 2021.09.07
(21)申请号 202110380558.7
(22)申请日 2021.04.09
(30)优先权数据
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