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2023-06-21 发布于四川
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一种PVT法高质量体单晶生长热场装置及方法，属于单晶制备技术领域。本发明解决了目前PVT法制备单晶的装置及方法容易造成籽晶损坏、制备出的单晶质量差的问题。本发明的坩埚体倒置，石墨筒通过支撑结构安装在坩埚体内，坩埚体侧壁、坩埚体底面、石墨筒外壁和支撑结构之间形成原料放置区，原料填充至原料放置区内；圆片固定安装在坩埚体内壁上，且位于支撑结构下方，圆片的下方依次安装有导流筒和支撑石墨筒，坩埚盖与坩埚体配合安装，坩埚盖内安装有籽晶支架，籽晶通过籽晶支架设置在坩埚体内，坩埚体和坩埚盖的外壁上包裹有石墨保温

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113337886 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110624565.7 (22)申请日 2021.06.04 (71)申请人哈尔

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