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本发明提供一种单晶断苞后自动回熔工艺,包括以下步骤,S1:进行坩埚内硅溶液升温;S2:升温结束后,自动阶段下降回熔单晶进行回熔,并在每一阶段回熔时,判定回熔单晶回熔状态,直至回熔单晶的重量达到降温初始单晶重量;降低硅溶液温度,在此降温过程中继续自动阶段下降回熔单晶回熔,直至回熔单晶的重量达到恢复引晶功率单晶重量,将硅溶液的温度维持在引晶温度,继续回熔单晶回熔,直至回熔单晶回熔完;S3:进行稳温、引晶。本发明的有益效果是采用自动化控制,对断苞后的单晶进行阶段性回熔,且在每一阶段回熔时,自动进行单晶
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113373509 A
(43)申请公布日
2021.09.10
(21)申请号 20201
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