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本申请公开了一种发光二极管结构及其制作方法，涉及发光二极管生产技术领域，包括：衬底；氮化物化合物半导体结构层，包括凸起部和至少一个边缘部；N侧欧姆接触金属层，位于边缘部远离衬底一侧的部分表面；P侧透光欧姆接触层，位于凸起部远离衬底一侧的表面；氮氧化铝保护层，包括第一氮氧化铝保护层和第二氮氧化铝保护层；金属焊垫，包括第一金属焊垫和第二金属焊垫。本申请采用具有高热传导系数的氮氧化铝制作保护层，能够将发光区产生的热量快速导向外部，避免发光区温度过高影响发光效率的问题，有利于提高发光元件的发光效率并延长
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380934 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110622862.8 H01L 33/00 (2010.01)
(22)申请日 2
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