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本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供一种提高半导体装置的生产率的技术。第1缓冲层包含：第1部分，其位于从主面起的半导体基板的厚度方向上，具有N型杂质浓度的第1峰值；以及第2部分，其位于从主面起的与第1部分相比更远处，具有N型杂质浓度的第2峰值。主面与第1部分之间的距离小于或等于4.0μm，第1部分与第2部分之间的距离大于或等于14.5μm。第1部分与第2部分之间的部分的N型杂质浓度高于漂移层的N型杂质浓度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113345959 A
(43)申请公布日 2021.09.03
(21)申请号 202110212104.9
(22)申请日 2021.02.25
(30)优先权数据
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