一种利用废弃石墨坩埚制备多孔SiC的方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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一种利用废弃石墨坩埚制备多孔SiC的方法.pdf

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一种利用废弃石墨坩埚制备多孔SiC的方法，本发明涉及多孔SiC的制备方法。本发明是要解决现有的SiC多孔陶瓷制备方法步骤繁琐、成本高的技术问题。本发明的方法：对生长SiC晶体用过的废弃石墨坩埚进行破碎、球磨，制备粉料；再经酸洗，烘干，得到洁净碳粉；将洁净碳粉与高纯硅粉混合，放入石墨坩埚当中，在氩气的气氛中烧结，得到烧结体；再将烧结体继续烧结，得到多孔SiC。该多孔SiC是充分利用废弃坩埚，节省了生产成本，同时利用不同粒径的粉料进行烧结，可以制备出稀疏多孔的粉料，操作简单，所需的原料易得，方便批量

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113372121 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 202110884488.9 C04B 38/06 (2006.01) (22)申请日 2